삼성전자 미국법인의 마케팅 담당 부사장인 톰 퀸 부사장은 실리콘스트래티지와의 인터뷰에서 이 같은 생
산설비 확대 계획을 밝히고 "카메라 폰과 이동통신 단말기, 디지탈 카메라, USB 포트 등의 수요를 맞추기
위해 다른 메모리의 생산도 늘려 나갈 것"이라고 말했다.
삼성전자는 올해 메모리 시설 투자에 지난해 32억 보다 줄어든 13억 달러를 지출할 것으로 전망된다. 유력
한 경쟁자인 인텔은 또다른 데이터 저장 장치인 NOR 플래시 생산으로 삼성전자의 독주를 견제하는 중이
다.
시설 투자 축소와 인텔의 견제에도 불구 삼성전자는 올해도 D램과 플래시 분야에서 인텔을 따돌리고 매모
리 분야에서 선도적 지위를 유지한다는 자신감을 갖고 있다.
퀸 부사장은 "인텔이 90나노 공정을 적용한 NOR 플래시 라인을 공략중이지만 낸드에 비해 3배 이상의 비
용 부담이 있다"며 "데이타 저장에는 여전히 낸드 메모리가 선호되고 있다"고 강조했다.
퀸 부사장은 삼성이 새로운 90나노 공정기술을 적용한 2기가 낸드메모리를 출하하기 시작했다고 밝히
고 "이후 90나노 공정을 넘어 65나노를 적용한 낸드 메모리를 생산할 계획"이라고 말했다.
저작권자 © 아웃소싱타임스 무단전재 및 재배포 금지
