의 초미세가공기술을 적용한 512메가 DDR(더블 데이타 레이트) SD램
의 상용제품 개발에 성공했다고 발표했다.
0.12미크론 가공기술은 머리카락 한 올에 9백여개의 가는 선을 그을
수 있는 초미세 기술이다.
국내에서 그동안 발표된 초미세 가공기술은 지난해말 삼성전자가 개발
한 512메가 D램의 0.13미크론 기술이 가장 미세한 회로선폭을 적용한
것이었다.
현대전자 메모리 연구소는 "이 제품은 1초에 6백66만개의 문자를 전송
할 수 있는 3백33㎒의 초고속 처리속도를 구현하고 있어 국제 반도체
협의기구(JEDEC)가 DDR SD램 제품의 신규격으로 표준화 하려는 초고
속 데이터 처리 성능을 충족시키고 있다" 고 설명했다.
현대전자는 이 제품을 올 상반기 청주 공장에서 양산에 들어가
IBM.HP 등 대형 시스템 업체에 제공할 예정이며, 하반기에는 전 공장
에서 본격적인 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다.
512메가 D램 등 차세대 고집적 반도체시장?내년부터 시장이 본격 형성
될 전망이며 2002년 25억달러, 2004년 4백50억달러 규모로 예상되고
있다.
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